{"id":19994,"date":"2021-01-13T00:06:18","date_gmt":"2021-01-12T23:06:18","guid":{"rendered":"https:\/\/test.cfdfeaservice.it\/index.php\/2021\/01\/13\/nitruri-2d-per-una-microelettronica-super-efficiente\/"},"modified":"2021-01-13T00:06:18","modified_gmt":"2021-01-12T23:06:18","slug":"nitruri-2d-per-una-microelettronica-super-efficiente","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/test.cfdfeaservice.it\/index.php\/2021\/01\/13\/nitruri-2d-per-una-microelettronica-super-efficiente\/","title":{"rendered":"Nitruri 2D per una microelettronica super efficiente"},"content":{"rendered":"
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\"Nitruri\"<\/div>\n
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La scoperta di nuove forme bidimensionali dei nitruri apre nuove prospettive per l<\/em>\u2019elettronica ultra-veloce e ad alta efficienza energetica. Uno studio pionieristico dell\u2019Istituto per la microelettronica e microsistemi del Cnr di Catania pubblicato su <\/a><\/em>Advanced Materials.<\/p>\n

L\u2019emergenza ambientale a livello globale richiede il passaggio verso forme di energia rinnovabili e l\u2019adozione di metodi efficienti per la distribuzione, la conversione e l\u2019utilizzo dell\u2019energia elettrica. In questo contesto, gli straordinari progressi ottenuti nel corso degli ultimi anni nella tecnologia dei materiali semiconduttori ad ampia banda proibita, quali il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN), sono stati alla base della transizione verso una elettronica ad alte prestazioni e ad alta efficienza energetica, in grado di rispondere all\u2019emergenza posta dal riscaldamento globale. La recente dimostrazione di nuove forme bidimensionali del GaN e di altri nituri (InN ed AlN) apre nuove prospettive per l\u2019applicazione di questi materiali nella micro e nanoelettronica. Uno dei primi studi in questa direzione, realizzato dai ricercatori dell\u2019Istituto per la microelettronica e microsistemi del Consiglio nazionale delle ricerche (Cnr-Imm) di Catania, in collaborazione con l\u2019Universit\u00e0 di Linkoping in Svezia e con l\u2019MFA-EK di Budapest, nell\u2019ambito del progetto europeo Grifone<\/a>, \u00e8 stato recentemente pubblicato sulla rivista internazionale Advanced Materials. <\/em>\u201cSebbene le forme 2D dei nitruri non siano stabili in condizioni ordinarie, abbiamo dimostrato che \u00e8 possibile ottenere strati ultrasottili e molto estesi sfruttando l\u2019intercalazione di atomi di gallio (oppure di alluminio o indio) e di azoto fra il grafene ed il SiC\u201d, spiega Filippo Giannazzo, ricercatore del Cnr-Imm che coordina l\u2019attivit\u00e0 di ricerca finalizzata all\u2019integrazione dei materiali 2D con il SiC ed il GaN. Il lavoro del team catanese ha consentito, grazie all\u2019impiego di tecniche avanzate di microscopia sia a forza atomica conduttiva (CAFM) che elettronica (TEM), di comprendere le propriet\u00e0 di questi materiali bidimensionali innovativi. \u201cPer conoscere in profondit\u00e0 le caratteristiche strutturali e chimiche di tali sistemi a livello dei singoli strati atomici\u201d, spiega Giuseppe Nicotra, ricercatore del Cnr-Imm che ha eseguito le indagini al TEM, \u201cci si \u00e8 avvalsi delle competenze nell\u2019analisi dei materiali 2D mediante microscopia elettronica presenti presso il laboratorio BeyondNano del CNR. La struttura \u00e8 dotata di un microscopio elettronico di ultima generazione con incredibili capacit\u00e0 risolutive, con il quale \u00e8 stato possibile comprendere in dettaglio le posizioni e i legami chimici degli atomi negli strati di nitruri intercalati\u201d. Questi esperimenti sono stati supportati dal progetto ESTEEM3<\/a> che rende possibile l\u2019accesso alle pi\u00f9 potenti tecniche di caratterizzazione di microscopia elettronica presenti in Europa, e di cui \u00a0BeyondNano \u00e8 membro. \u201cLa dimostrazione di queste nuove forme 2D dei nitruri\u201d, conclude Giannazzo, \u201cpotr\u00e0 consentire la realizzazione di nuovi transistor ultra-veloci ed energeticamente efficienti, in grado di operare a frequenze dai 100 GHz al THz, ovvero capaci di aprire nuove frontiere nelle telecomunicazioni oltre la tecnologia 5G, nella diagnostica medica e per la sicurezza\u201d.<\/p>\n<\/div>\n

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Autore: Redazione<\/p>\n

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